4054,4056充电芯片输入过压保护阈值的重要性

我们都知道 USB 热拔插会产生浪涌和瞬间的尖峰电压。同时我们经收集工厂对市面上多家品牌常规充电芯片的反馈收集，我们会发现有 2-5 ‰左右的不良，经过对芯片进行收集，开盖，研究，分析，收集到其中约 50%是在瞬间尖峰电压过高导致超过芯片极限耐压，过高的电压把芯片内部打损坏。

在此没有过压保护 OVP芯片（如下图产品）出来前，差不多在快充充电器兴起之前。我们一般对于浪涌尖峰的处理方式大概有三种：

1，  正极加串电阻的方式，适合小电流，大电流会损耗电压值和效率，同时电流大时，电阻本身温度也会高，优点小，方便，缺点：适合 500mA左右电流以下

2，  加电解电容，电解电容的有较高的 ESR 等效串联电阻来吸收，有的人说陶瓷贴片电容也有，但是 ESR低，起不到好的效果。优点成本低廉，缺点电容高度，放不下对体积有要求的产品，有不少局限性

3，  加 TVS管

4，  加 OVP过压保护芯片

平芯微同步推出了众多规格的过压 OVP 保护芯片，和增加了可调限流 OCP + 过压 OCP二合一的保护芯片，满足很多场景需求。

在此没有过压保护 OVP芯片（如下图产品）出来前，差不多在快充充电器兴起之前。我们一般对于浪涌尖峰的处理方式大概有三种：

在手机快充越来越多，基本知名品牌都把快充做新手机标配了，市面上快充充电器（ 5V,9V,12V,20V ）也越来越多，我们知道产品都会被市场引导区分出中高低三种品质充电器出来。刚好在 TWS 耳机兴起的时候，过压保护 OVP 芯片才得到了重要，市场数量大幅度增加，耳机因为放在耳朵旁，距离人体脆弱的器官都太近，需要更好的保护。再加之国外客户很早就意识到了快充充电器万一损坏带来的危险，需要增加过压保护 OVP芯片等等综合考虑。

平芯微也早早推出了集成 OVP 芯片 +4056 充电管理的单节锂电池充电芯片 PW4056H，

也根据市场需求推出了集成输入耐压 28V ， 6.8V 的 OVP过压保护和BAT 脚耐压提高到 20V 的系列高品质，高双耐压产品单节锂电池充电芯片， PW4056HH(ESOP8封装，) ， PW4057H （ SOT23-6 封装）， PW4054H （ SOT23-5封装）

1，  常见小电池几百 mAH的我们一般根据LED 灯指示选择有 4054和4057,SOT23-5 和 SOT23-6 的线性充电 IC ，平芯微的 PW4054H 和 PW4057H 在品质和可靠性尤为突出，具有输入 OVP 过压 6.5V 关闭充电，输入同时可以抗 28V 耐压，及时快充充电器误输入 9V,12V 也能不会损坏，正常没有这个功能的芯片，在如今快充充电器普及很高的环境下， PW4054H 和 PW4057H在高端电子产品具有很高位置。

2，  电池 1000-2000mah一般也有客户任然选择线性充电，但是选择具有更高电流的4056 ，最高 1A ，。 4054,4056 因为是线性充电，具有很强，简洁，容易的电路设计很受大家喜欢。在 4056中，PW4056HH 具备了输入 OVP 过压保护时，还具有电池耐高压 20V 保护，这个 20V 耐压很多人不理解，认为锂电池 4.2V，

为什么需要 20V耐压呢？

实际在电源领域，我们需要使用示波器和熟悉掌握才能在电源行业理解和分析。当锂电池再重负载放电时，如果突然的断开，会产生瞬间的浪涌电流和瞬间尖峰电压，这个瞬间的尖峰电压可能会达到 6V,8V等，没有固定性，足够高的耐压，才能很多的面对不对情况下的应用环节和场景。