GCYPB，GCYuB，GRY0B，GRYFB，GRYGB三脚保护芯片
- 2026-07-24 15:19:00
- ICMKW 原创
- 4
高输入电压充电器 （OVP ）
一般描述
PW2605是一款前端过压和过流保护器件。它实现了 2.8VDC 至 36VDC 的宽输入电压范围。过压阈值可通过外部编程或设置为内部默认设置。集成电源路径nFET开关的低电阻确保更好的
电池充电系统应用的性能。它可以提供高达 1A 的电流以满足电池供电系统的需求。它集成了过温保护、关断和自动恢复电路以及迟滞功能，可防止过流事件。
特征
l MAX大 输入电压：36V
l MAX大 负载电流：1A
l 低功率路径电阻：350mΩ （典型值）
l 固定内部过压保护阈值：6.1 （典型值）
l OVP响应时间：50ns
l 内部 15ms 启动或 OVP 恢复延迟
l 可编程过压门限：4V至11V
l 内部软启动可防止浪涌电流
l 热关断保护和自动恢复
l 输出短路保护
l 符合 RoHS 标准且无卤素
l 紧凑型封装：SOT23-3L
l PW2609A（可调OVP过压点，内阻低，可通过3A电流）;
l PW2606（SOT23-6，是PW2605更低内阻的同款IC）
PW1558 （ 3V~20V 5.8A）;
PW1605 （4V~48V 5A）;
PW1515 (3.5V~6V 2A)同类型产品
应用
l 智能设备
l 电池供电系统
l 可穿戴设备
典型应用电路
引脚分配/ 说明
引脚编号
引脚名称
功能
1
V
I
N
电源输入引脚。通过将至少0.1uF MLCC接地来解耦高频噪声。
2
V
OUT
输出电压引脚。内部 nFET 的源极侧。
3
GND
电源接地引脚。
推荐工作范围
|
象征 |
项目 |
值 |
单位 |
|
VIN |
输入电源电压 |
2.5 to 20 |
V |
|
VOUT |
输出电压 |
< 1 0 |
V |
|
IOUT |
继续输出电流 |
<1 |
A |
|
CIN |
输入电容 |
1 |
u F |
|
Cout |
输出负载电容 |
1 |
u F |
|
TOPT |
工作温度 |
-40 to +85 |
℃ |
|
象征 |
项目 |
值 |
单位 |
|
VIN |
输入电压 |
-0.3~ 36 |
V |
|
V out |
输出电压 |
-0.3~ 15 |
V |
|
VOVLO |
OVLO电压 |
-0.3~20 |
V |
|
IOMAX 大 |
MAX大 输出继续负载电流 |
1 |
A |
|
R θJA |
热阻 |
300 |
℃ /W |
|
T J |
结温 |
-40-150 |
℃ |
|
T STG |
储存温度 |
-55 ~ +150 |
℃ |
|
T SOLDER |
封装引线焊接温度 （10s） |
260 |
℃ |
|
ESD HBM |
人体模式 |
8 |
KV |
Absolute 参数
Note: Exceed these limits to damage to the device. Exposure to absolute MAX大imum rating conditions may affect device reliability.
电气特性
（除非另有说明，否则VIN = 2.8V至36V，CIN=1uF，COUT=1uF，TA=25 °C。
|
参数 |
象征 |
测试条件 |
MAX小 |
类型 |
MAX大 |
单位 |
|
输入电压 |
VIN |
|
2.8 |
|
36 |
V |
|
输入欠压锁定阈值 |
VUVLO |
|
|
2.5 |
|
V |
|
UVLO滞后 |
VHYS |
|
|
260 |
|
mV |
|
输入静态电流 |
IQ |
VIN=5V, VIN<VOVLO |
|
240 |
|
µA |
|
OVLO 输入漏电流 |
IOVLO |
VOVLO=VOVLO_TH |
-100 |
|
100 |
nA |
|
内部默认 OVPThreshold |
VOVLO |
上升 |
5.8 |
6.1 |
6.4 |
V |
|
内部OVP迟滞 |
VOVLO_HYS |
下降 |
|
190 |
|
mV |
|
关于电源路径的电阻 |
RON |
VIN=5V,
|
|
350 |
|
mΩ |
|
启动或过压保护恢复去抖动时间 |
TDEB |
Time from 2.5V<VIN<VOVLO to VOUT=10%
|
|
15 |
|
mS |
|
OVP开关关断时间 |
tOFF |
VIN> VOVLO to VOUT stop rising |
|
50 |
100 |
nS |
|
输出放电电阻 |
RDISC |
OVP Triggered, VOUT=1V |
|
350 |
|
Ω |
|
热关断温度 |
TSD |
|
|
150 |
|
℃ |
|
热关断滞后 |
THYS |
|
|
20 |
|
℃ |
典型性能特征
