D00HAE,D00HAe,D00HAG,D00HAg,D00HAH丝印过流保护芯片IC
- 2026-07-25 13:05:00
- ICMKW 原创
- 3
2A限流 开关
一般描述
该PW1502A是一款经济高效、低电压、单通道P-MOSFET负载开关,针对自供电和总线供电的通用串行总线(USB)应用进行了优化。该开关的工作输入电压范围为 2.4V 至 5.5V,非常适合 3V 和 5V 系统。该开关的低RDS(ON)为80mΩ,符合USB压降要求。
该PW1502A还具有热过载保护功能,从而限制了功耗和结温。电流限制阈值通过从IADJ到地的电阻器进行编程。在导通状态下,静态电源电流典型值为 15μA。在关断状态下,电源电流降至1μA以下。该PW1502A采用SOT23-5封装
特征
l 符合USB规范
l 集成 80mΩ 功率 MOSFET
l 低电源电流
15μA 典型值(在导通状态)
关断状态时为 1μA(典型值)
l 宽输入电压范围:2.4V to 5.5V
l 快速瞬态响应:<2μs
l 反向电流阻断
l 热关断保护
l 热插拔应用(软启动)
l 采用 5 引脚 SOT23-5 封装
l PW1555A(3.3V5A、5V5A、12V5A);
PW1558 ( 3V~20V 5.8A);
PW1605 (4V~48V 5A);
PW1503 (2.5V~6V 3A);
PW1515 (3.5V~6V 2A)同类型产品
应用
l USB 总线/自供电集线器
l USB 外设
l 笔记本电脑
l 电池充电器电路
l 个人通信设备
引脚分配/说明
|
引脚名称 |
引脚编号 |
描述 |
|
VOUT |
1 |
电源开关输出 |
|
GND |
2 |
接地连接;从外部连接到电源 PAD |
|
IADJ |
3 |
用于IADJ限流阈值的外部电阻器 |
|
EN |
4 |
使能输入,逻辑高电平接通电源开关 |
|
VIN |
5 |
输入电压;将 10Uf 或更大的陶瓷电容器从VIN连接到GND,尽可能靠近 IC |
产品
Absolute Maximum Ratings (note 1 , 2 )
|
项目 |
值 |
单位 |
|
输入电源电压 |
-0.3 to 7 |
V |
|
在电压中 |
-0.3 to (VIN+0.3V) |
V |
|
IADJ电压 |
-0.3 to (VIN+0.3V) |
V |
|
功耗 |
0 .4 |
W |
|
结温 |
150 |
°C |
|
工作温度范围 |
-40 to 85 |
°C |
|
存储温度范围 |
-65 to 15 0 |
°C |
|
引线温度(焊接,10秒) |
2 60 |
°C |
|
ESD 人体模型 (HBM) |
2000 |
V |
|
ESD MM (机器模式) |
2 00 |
V |
|
热阻 θJA |
250 |
° C/W |
|
热阻 θJC |
1 30 |
° C/W |
Note :Absolute Maximum Ratings are those values beyond which the life of a device may be impaired.
电气特性
(VIN=5V,TA =-40°C 至 85°C),除非另有说明。
|
参数 |
象征 |
条件 |
MINI |
类型 |
M AX |
单位 |
|
输入电压范围 |
VIN |
|
2.4 |
|
5.5 |
V |
|
导通电阻 |
RDS(ON) |
VIN=5V |
|
80 |
100 |
mΩ |
|
VIN=3V |
|
90 |
110 |
mΩ |
||
|
静态电流 |
IQ |
VIN=5V,EN=Active,No load |
|
15 |
25 |
μA |
|
关断电源电流 |
IQ(OFF) |
VIN=5.5V,EN=Inactive |
|
|
1 |
μA |
|
关断开关电流 |
IQ(SW_OFF) |
VIN=5.5V,EN=Inactive |
|
|
1 |
μA |
|
欠压锁定 |
VUVLO |
VIN Increasing |
|
1.8 |
2.4 |
V |
|
欠压闭锁滞后 |
ΔVUVLO |
VIN decreasing |
|
0.1 |
|
V |
|
电流限制阈值 |
ILIM |
RADJ=6.8kΩ |
|
1 |
|
A |
|
一个阈值,逻辑低电平 |
VIL |
VIN=2.5V to 5.5V |
|
|
0.8 |
V |
|
EN阈值,逻辑高电平 |
VIH |
VIN=2.5V to 5.5V |
2 |
|
|
V |
|
输出漏电流 |
ILEAK |
EN=Inactive,RLOAD=0Ω |
|
0.5 |
10 |
μA |
|
电流限制响应时间 |
TRESP |
VIN=5V |
|
1 |
|
μs |
|
热关断保护 |
TSD |
|
|
150 |
|
°C |
|
热关断滞后 |
ΔTSD |
|
|
20 |
|
°C |
注 : 25°C下100%生产测试。 通过设计和表征保证整个温度范围内的规格
应用 资料
该PW1502A是一款单通道限流负载开关,旨在通过将电流限制到预设水平来防止短路和过流事件。该器件针对自供电和总线供电的通用串行总线 (USB) 应用进行了优化。该开关的低 RDS(ON) 为 80mΩ,满足 USB 压降要求;标志输出可用于向本地 USB 控制器指示故障情况
输入和输出
VIN(输入)是连接内部电路的电源和MOSFET的电源。VOUT(输出)是MOSFET的漏极。在典型应用中,电流通过开关从VIN流向VOUT至负载。如果 VOUT 大于 VIN,则电流将从 VOUT 流向 VIN因为MOSFET在导通时是双向的。该PW1502A的反向电流阻断功能可防止器件在禁用时电流从 VOUT 流向 VIN。
热插拔应用的软启动
为了消除热插拔事件期间因浪涌电流过大而导致的上游电压压降, “软启动”功能有效地将电源与超大容性负载隔离开来,满足USB电压压降要求。
输入电容
输入电容CIN可保护电源免受连接到PW1502A的负载产生的电流瞬变的影响。当PW1502A输出突然短路时,在限流电路激活之前,仅受MOSFET的R DS(ON) 限制的大电流将流动不到2μs。在这种情况下,中等尺寸的CIN 将大大降低电源和PW1502A上游其他电路的电压瞬态。该PW1502A极快的短路响应时间降低了对 C IN 的尺寸要求。 CIN 应尽可能靠近器件 VIN 引脚。陶瓷电容器、钽电容器或铝电解电容器适用于CIN。C IN没有特定的电容ESR要求。然而,对于更高的电流操作,建议将陶瓷电容器用于 CIN,因为它们比钽电容器具有固有的能力,可以承受来自低阻抗源(如便携式设备中的电池)的输入电流浪涌。
输出电容
强烈建议在 VOUT 和 GND 之间使用低 ESR 150μF 铝电解或钽,以满足集线器 VBUS 中 330mV 的最大压降要求(根据 USB 2.0,每个集线器的输出端口必须具有至少 120μF 的低 ESR 大容量电容)。应使用标准旁路方法,以最小化旁路电容器和下游连接器之间的电感和电阻,以减少下游电缆热插入瞬变时引起的EMI和去耦电压下降。建议将铁氧体磁珠与VBUS、接地线和电源连接器引脚上的0.1μF旁路电容串联,用于EMI和ESD保护。旁路电容本身应具有低耗散因数,以允许在较高频率下去耦。
散热注意事项
由于该PW1502A具有内部电流限制和过温保护,因此结温很少成为问题。但是,如果应用在炎热环境中需要大电流,则温度(而不是电流限制)可能是主要的调节条件。在这些应用中,必须计算出没有过热风险的最大可用电流。功率耗散可以根据开关的输出电流和RDS(ON)计算,如下所示。
虽然这些器件的额定输出电流为 2A(最大),但应用可能会根据总功耗和环境温度来限制输出电流的大小。任何IADJ条件的最终工作结温都可以通过以下热方程来估计:
其中TJ(MAX)是最高工作结温150°C,TA 是环境温度 θJA 是环境热阻的结点。与环境热阻θJA的结点取决于布局。对于 SOT23-5 和 TSOT23-5 封装,热阻 θJA 为 250°C/W。 SOT23-5 和 TSOT23-5 封装在 T A = 25°C 时的最大功耗为 0.4W
电流限制阈值设置
电流限制阈值通过一个电阻器从IADJ到标记为RADJ的接地进行编程。可以通过以下公式来估计:
ILMI ( A)= 6.8KΩ / RADJ (KΩ)
如下表所示。
|
ILMI(mA) |
RADJ(kΩ ) |
|
600 |
11.3 |
|
800 |
8.45 |
|
1000 |
6.8 |
|
1500 |
4.53 |
|
2000 |
3.4 |
